Технические характеристики
2Т984Б
Транзисторы 2Т984Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720…820 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Транзисторы содержат внутренние согласующие LC-звенья.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-42.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.374ТУ.
Зарубежный аналог: D1-7E, D1-12E, D1-12B, MRF5174.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т984Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4,7 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 80 мА (65В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 820 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
