Технические характеристики
3П602Б-2
Транзисторы 3П602Б-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3…12 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.
Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Транзисторы 3П602Б-5, 3П602Д-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0006 г.
Тип корпуса: КТ-52.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — аА0.339.227ТУ.
Зарубежный аналог: NEZ1112, TC9502, MA4F005-500, HMF-0624, HMF-0621, HMF-0620, FSX51X.
Срок сохраняемости — 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
