5576РС1У характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

5576РС1У
Микросхема 5576РС1У представляет собой ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа с последовательным интерфейсом ёмкостью 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС.
Микросхема 5576РС1У предназначена для работы в качестве загрузочного ППЗУ с возможностью электрического программирования и стирания для конфигурирования ПЛИС серии 5576ХСхх, и ПЛИС фирмы Altera серий EPF10K50, EPF10K100, EPF10K200.
Используется для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Микросхема 5576РС1У выпускается в плоском 28-выводном металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка микросхемы и схема соединения электродов с выводами указывается на корпусе.
Тип корпуса: Н09.28-1В.
Категория качества «ВП».
Технические условия:
  — приёмка «5» — АЕЯР.431210.710ТУ.

Основные технические и эксплуатационные характеристики микросхемы 5576РС1У:
  ● информационная ёмкость 4 Мбит;
  ● напряжение питания от 3,0 до 3,6 В;
  ● интерфейс JTAG IEEE Std. 1149.1;
  ● период следования импульсов тактовых сигналов не более 30 нс;
  ● период следования импульсов тактовых сигналов на входе не менее 100 нс;
  ● ток потребления в режиме хранения не более 1 мА;
  ● динамический ток потребления в режиме конфигурирования не более 50 мА;
  ● рабочий диапазон температур от -60 до +125 °С.

Характеристики конфигурационной схемы:
  ● простой в применении 4-проводной конфигурационный интерфейс ПЛИС;
  ● конфигурационная схема для загрузки ПЛИС 5576ХС3Т и 5576ХС4Т;
  ● поддержка режима конфигурирования passive serial (PS) и active serial (AS);
  ● низкое потребление в процессе конфигурирования и близкий к нулю ток в режиме хранения;
  ● толерантность выводов к напряжению +5 В;
  ● поддержка программного обеспечения Quartus II фирмы «Altera»;
  ● конфигурационное устройство включает перепрограммируемую память FLASH-типа:
     — гарантированное количество циклов стирания 100.000;
     — время сохранения данных 100 лет при температуре +85 °С;
     — внутрисхемное программирование (ISP) через IEEE Std. 1149.1 JTAG интерфейс;
  ● SP схема совместима с IEEE Std. 1532.
  ● поддерживает программирование объектных файлов (.pof) из Quartus II посредством USB Blaster, MasterBlasterTM, ByteBlasterTM II, EthernetBlaster или ByteBlasterMVTM загрузочного кабеля;
  ● вывод nINIT_CONF позволяет с помощью JTAG инструкции «INIT_CONF» инициировать процесс конфигурирования ПЛИС;
  ● встроенный регулятор напряжения +2,5 В (до 20 мА) для питания ядра;
  ● встроенная схема формирования высоковольтного напряжения программирования и стирания;
  ● встроенная схема сброса при включении питания с изменяемым временем задержки (2 мс или 100 мс) посредством вывода PORSEL;
  ● возможность выбора источника конфигурационного синхросигнала:
     — частота с вывода EXCLK до 33 МГц в режиме PS; — частота с внутреннего генератора 5 МГц в режиме PS;
     — частота с вывода DCLK ПЛИС в режиме AS;
  ● технологический процесс 0.25 мкм.

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты