ГТ322Б, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

ГТ322Б
Транзисторы ГТ322Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана.
Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SA256, 2SA339, AF275, AF426, AF427, AF428, AF429, GFY50.

Основные технические характеристики транзистора ГТ322Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 80 МГц;
Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 4 мкА при 25 В;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50…120 при 5В, 1мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,8 пФ при 5В;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1,6 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты