Технические характеристики
ГТ329В
Транзисторы ГТ329В германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: ЩТ3.365.057-2ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 10 лет с момента изготовления.
Основные технические характеристики транзистора ГТ329В:
• Структура: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 990 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15…300 при 5В, 5мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
