Технические характеристики
КП9110Д
Транзистор КП9110Д кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 200 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц.
Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор КП9110Д используется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-57А-1.
Категория качества: «ОТК».
— приемка «1» — АДКБ.432150.521ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLA1011-200R фирмы NXP Semiconductors.
Основные RF характеристики транзистора КП9110Д:
(режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
● Выходная мощность РВЫХ — 200 Вт;
● Коэффициент усиления по мощности КУР — 12 дБ;
● КПД стока ηС — 40 % (минимальный).
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110Д:
● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС …….. 15 В;
● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС …….. 100 В;
● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС …….. 397 Вт;
● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС …….. 15,1 А;
● Диапазон рабочих температур, tОКР …….. -60 … +125 °C;
● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС …….. 180 °C;
● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К …….. 0,39 °C/Вт;
● Масса транзистора, не более …….. 7,0 г.
