Технические характеристики
КР198НТ5Б
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы КР198НТ5Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре общепромышленного назначения.
Выпускаются в 14-выводном пластмассовом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.
Категория качества: «ОТК».
Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка не менее 50000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
