Технические характеристики
КТ117Б
Транзисторы КТ117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,45 г.
Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — ТТ3.365.002ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N2647, 2N4891.
Основные технические характеристики транзистора КТ117Б:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax — Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65… 0,9
