Технические характеристики
КТ201БМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ и нормированным КТ201ДМ коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип транзистора указывается на боковой поверхности корпуса в виде сокращенного обозначения:
— КТ201АМ — 201А,
— КТ201БМ — 201Б,
— КТ201ВМ — 201В,
— КТ201ГМ — 201Г,
— КТ201ДМ — 201Д.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» СБ0.336.040ТУ.
Импортный аналог: MPS9601.
Основные технические характеристики транзистора КТ201БМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30…90;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
