Технические характеристики
КТ3102Б
Транзисторы КТ3102Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.122ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N2483, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, BC107BP, BC318, BSX51A.
Основные технические характеристики транзистора КТ3102Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (50В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200…500;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс
