Технические характеристики
КТ3102ГМ
Транзисторы КТ3102ГМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 — цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 — зелёной меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой:
— КТ3102АМ — тёмно-красной,
— КТ3102БМ — жёлтой,
— КТ3102ВМ — тёмно-зелёной,
— КТ3102ГМ — голубой,
— КТ3102ДМ — синей,
— КТ3102ЕМ — белой,
— КТ3102ЖМ — две тёмно-красные,
— КТ3102ИМ — две жёлтые,
— КТ3102КМ — две тёмно-зелёные.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.122ТУ/03.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BCY57.
Основные технические характеристики транзистора КТ3102ГМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400…1000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс
