Технические характеристики
КТ313Б1
Транзисторы КТ313Б1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Вариант 1 — цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 — оранжевой меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой:
— КТ313А1 — тёмно-красной,
— КТ313Б1 — жёлтой,
— КТ313В1 — тёмно-зелёной,
— КТ313Г1 — голубой.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.131ТУ.
Импортный аналог: 2SA720, 2SA731.
Основные технические характеристики транзистора КТ313Б-1:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80… 300;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
