Технические характеристики
КТ316ДМ
Транзисторы КТ316ДМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» СБ0.336.030ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ316ДМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60… 300;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
