КТ321Б, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

КТ321Б
Транзисторы КТ321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса:  КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  — приемка «1» — аА0.336.393ТУ.
Импортный аналог: MM2260, 2SA561.

Основные технические характеристики транзистора КТ321Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40… 120;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты