КТ342ВМ, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

КТ342ВМ
Транзисторы КТ342БМ эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные, высокочастотные.
Предназначены для применения в приёмоусилительной аппаратуре и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для транзисторов используется условная маркировка графическим и цифро-буквенным кодом:
   — КТ342АМ — прямоугольный треугольник и буква «А»,
   — КТ342БМ — треугольник и буква «Б»;
   — КТ342ВМ — треугольник и буква «В»;
   — КТ342ГМ — треугольник и буква «Г»;
   — КТ342ДМ — треугольник и буква «Д».
Допускается также маркировка цветным кодом:
   — КТ342АМ — синяя метка на плоской части боковой поверхности корпуса и тёмно-красная на торце;
   — КТ342БМ — синяя и жёлтая метки;
   — КТ342ВМ — синяя и тёмно-зелёная метки.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  — приемка «1» ЖК3.365.227ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BC108C, PN5134, 2SC2821.

Основные технические характеристики транзистора КТ342ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 400… 1000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты