Технические характеристики
КТ505Б
Транзисторы КТ505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.683ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог:BFT19A, BFT28C.
Основные технические характеристики транзистора КТ505Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25… 140;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом
