Технические характеристики
КТ603Г
Транзисторы КТ603Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» -И93.365.005ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BSW36, BSY62A.
Основные технические характеристики транзистора КТ603Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом
