Технические характеристики
КТ606Б
Транзисторы КТ606Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — ЩБ3.365.049ТУ.
Импортный аналог:RFD401, MRF62.
Основные технические характеристики транзистора КТ606Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2,5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мкА (60В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,6 Вт на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
