КТ638А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

КТ638А
Транзисторы КТ638А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным или цветовым кодом на корпусе транзистора.
На боковой поверхности корпуса наносится условная маркировка — точка оранжевого цвета, а на торце корпуса цветовая метка:
   — для КТ638А — тёмно-красная;
   — для КТ638Б — жёлтая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  — приемка «1» АДБК.432140.113 ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог:  MPSL01, 2SC589.

Основные технические характеристики транзистора КТ638А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 110 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (110В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 25 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты