Технические характеристики
КТ645А
Транзисторы КТ645А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные.
Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ5.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.333ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MPS3705, MPS6530, MPS6532, MPS6565, MPS6566, MPS706, 2N4400, 2N5845, 2SC1317, 2SC1846.
Основные технические характеристики транзистора КТ645А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20…200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
