Технические характеристики
КТ646В
Транзисторы КТ646В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.334ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ646В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (40В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150… 340;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 120 пс
