Технические характеристики
КТ801Б
Транзисторы КТ801Б кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-9.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» ЩЫ3.365.001ТУ.
Минимальный срок сохраняемости — 12 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Импортный аналог: 2N1700, 2N4238, BSX62, KU601, SML5507, SML5512.
Основные технические характеристики транзистора КТ801Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 мА (80В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30… 150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом
