Технические характеристики
КТ803А
Транзисторы КТ803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем — не более 34,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — ЖК3.365.206ТУ.
Импортный аналог: 2N5067, 2N5068, 2N5069, 2SC44, 2SC493, 2SC521A, 2SC793, BDY17, BDY23, BDY24, MJ480, MJ481.
Основные технические характеристики транзистора КТ803А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (70В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10… 70;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом
