КТ805Б, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

КТ805Б
Транзисторы КТ805Б кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем — не более 34,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  — приемка «1» — аА0.336.341ТУ.
Импортный аналог: 2N3054, 2N3766, 2N3767, 2N6260, BD123, BDY61, BDY78.

Основные технические характеристики транзистора КТ805Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:  30Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 мА (60В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты