Технические характеристики
КТ8115Б
Транзисторы КТ8115Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» АДБК.432140.289ТУ/02.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: TIP136, BD900, BD902, BD266A.
Основные технические характеристики транзистора КТ8115Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 65 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,2 мА (100В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 1000;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,7 Ом
