Технические характеристики
КТ817Б
Транзисторы КТ817Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.187ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC790, 2SD235, BD175, BD233, BD437, BD615, BD933.
Основные технические характеристики транзистора КТ817Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (45В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом
