Технические характеристики
КТ819ГМ
Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.189 ТУ.
Импортный аналог: 2N3055E, 2N6472, 2SD843, BD183, BDW21C, BDW51B, BDW51C, BDX10, BDX95, BDY20, BDY38, BDY73.
Основные технические характеристики транзистора КТ819ГМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
