Технические характеристики
КТ827А
Транзисторы КТ827А кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.356ТУ.
Импортный аналог: 2N6059, 2N6284, BDX63A, BDX65A, BDX67A, BDX85C, BDX87C, MJ3521, MJ4035, 2SD729H.
Основные технические характеристики транзистора КТ827А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750… 18000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом
