Технические характеристики
КТ834А
Транзисторы КТ834А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.471ТУ.
Импортный аналог: SDN6002, SDN6253, 2SD605, 2SD685, SVT6002, SDM6000.
Основные технические характеристики транзистора КТ834А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 500 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (500В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150… 3000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,13 Ом
