Технические характеристики
КТ839А
Транзисторы КТ839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, импульсные.
Предназначены для применения во вторичных источниках питания, высоковольтных ключевых схемах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.485ТУ.
Импортный аналог: BU108, 2SC1172, 2SC1894, 2SC1895, 2SC1896, 2SD1279, 2SD380, 2SD820, 2SD821, 2SD822.
Основные технические характеристики транзистора КТ839А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,375 Ом
