Технические характеристики
КТ847А
Транзисторы КТ847А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «3», «3.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.576ТУ.
Импортный аналог: 2N6678, 2N6672, BUV48E.
Основные технические характеристики транзистора КТ847А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 15 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 650 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (650В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8…25;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,1 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 2000 нс
