Технические характеристики
КТ892Б
Транзисторы КТ892Б кремниевые планарные структуры n-p-n составные, высоковольтные, переключательные.
Предназначены для применения в схемах зажигания автомобилей, схемах управления двигателями.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — АДБК.432148.017ТУ.
Импортный аналог: BU932Z, TIP661, 2SC1832, FT5870, BU931, IR4040, IR4041, IR6000.
Основные технические характеристики транзистора КТ892Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 8 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 300;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,225 Ом
