Технические характеристики
КТ908Б
Транзисторы КТ908Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора без накидного фланца не более 22,0 г.
Масса накидного фланца не более 12,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «3.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — ГЕ3.365.012ТУ.
Импортный аналог: BUX77, 2N3878, 2N3879, 2N4301, 2N5202, 2SD47, BDY92, 2N1900.
Основные технические характеристики транзистора КТ908Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 30 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,25кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (60В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 2600 нс
