Технические характеристики
КТ920В
Транзисторы КТ920В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50…200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.059ТУ.
Импортный аналог: 2N6081, 2N5591, 2N5591, 2SC2642.
Основные технические характеристики транзистора КТ920В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 7,5 мА (36В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 175 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
