Технические характеристики
КТ926Б
Транзисторы КТ926Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных модуляторах в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Тип корпуса: КТ-10.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.229ТУ.
Импортный аналог: 2N1904, BUY72.
Основные технические характеристики транзистора КТ926Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 150 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10… 60;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0.25 Ом
