Технические характеристики
КТ928Б
Транзисторы КТ928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные, высокочастотные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.202ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC109A, BSW51, BSW52, BSX32, 2N2218, 2N2218A.
Основные технические характеристики транзистора КТ928Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,2 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (60В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50… 200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 250 нс
