Технические характеристики
КТ933Б
Транзисторы КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — аА0.336.312ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N4037, 2SA537, BC139, BC143, BC160-6, DTL3502.
Основные технические характеристики транзистора КТ933Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 75 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,5 мА (80В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом
