Технические характеристики
П416Б
Транзисторы П416Б германиевые сплавные p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-4.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП».
Технические условия:
— приемка «1» ЩБ3.365.003ТУ;
— приемка «5» ЩП3.365.001ТУ.
Зарубежный аналог: 2SA27.
Основные технические характеристики транзистора П416Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 360 мВт;
• fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 90… 200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
