Технические характеристики
106ЛД1
Микросхемы 106ЛД1 представляют собой восьмивходовый расширитель по ИЛИ.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре и оборудовании специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с двусторонним расположением выводов.
Маркировка микросхем и схема соединения электродов с выводами указывается на корпусе.
Содержат 4 интегральных элемента.
Масса не более 0,35 г.
Микросхемы изготовлены по ТТЛ технологии.
Тип корпуса: 401.14-3.
Рабочая температура: -60…+125°С.
Технические условия:
— приемка «5» бК0.347.082ТУ1;
— приемка «9» И93.402.010СТУ.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 106ЛД1:
Напряжение питания ………. < 6 В
Напряжение на входе относительно «земли» .......... <5 В
Выходной втекающий ток < 18 мА
Выходной вытекающий ток .......... < 15 мА
Максимальная емкость нагрузки .......... < 200 пФ
Мощность рассеяния без теплоотвода .......... < 100 мВт
Частота переключения:
- 106ЛБ1, 106ЛБ5, 106ЛР1, 106ТР1, 106ЛБ6 .......... < 3 МГц
- 106ЛР2 106ТР2 .......... < 1 МГц
Тепловое сопротивление кристалл-среда .......... 0,25 °С/мВт
Предельная температура кристалла .......... 150°С
Общие рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки (260 ±5)°С, продолжительность пайки не более 3 с.
Число допускаемых перепаек выводов 2.
При работе микросхем неиспользуемые входы одного логического элемента рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику постоянного напряжения через резистор сопротивлением не менее 1 кОм, при этом можно объединять любое количество входов к одному и тому же резистору. Следует учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по уровню лог.1 определяется числом подключаемых входов. Неиспользуемые входы можно также подключать и к выходам неиспользуемых вентилей; при этом входы последних следует подключать (заземлять) к низкому уровню. Монтаж микросхем производится только в обесточенном состоянии.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
