Технические характеристики
1645РУ1ВУ
Микросхема 1645РУ1ВУ представляет собой оперативное запоминающее устройство статического типа (СОЗУ) с произвольной выборкой с информационной ёмкостью 1Мбит и организацией (128К х 8) бит.
Микросхемы разработаны по КМОП технологии с минимальными проектными нормами 0,35 мкм, с одним уровнем поликремния и тремя уровнями металла.
В качестве запоминающего элемента использована шеститранзисторная ячейка памяти.
Предназначена для применения в блоках и устройствах памяти общих и специальных вычислительных систем с большими потоками обработки информации.
Используется для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Микросхема 1645РУ1ВУ выпускается в 64-выводном металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка микросхемы и схема соединения электродов с выводами указывается на корпусе.
Тип корпуса: Н18.64-3В.
Категория качества «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — АЕЯР.431220.553ТУ.
Основные технические и эксплуатационные характеристики микросхемы 1645РУ1ВУ:
● информационная ёмкость СОЗУ 1 Мбит (128К х 8);
● напряжение питания от 3,0 до 5,5 В;
● время выборки по адресу (Ucc=3,5-4,5 В (4,5-5,5 В)):
— 1645РУ1АУ не более 40 (25) нс,
— 1645РУ1БУ не более 50 (30) нс,
— 1645РУ1ВУ не более 55 (35) нс;
● режим пониженного энергопотребления;
● микросхема совместима с микросхемами ТТЛ и КМОП типа;
● рабочий температурный диапазон от минус 60 до +125 °С.
