Технические характеристики
1Т403В
Транзисторы 1Т403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «5» СИ3.365.023ТУ;
— приемка «9» СИ3.365.023ТУ/Д6.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 25 лет с момента изготовления.
Основные технические характеристики транзистора 1Т403В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fmax — Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20…60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не нормируется
