Технические характеристики
1Т612А-4
Транзисторы 1Т612А-4 германиевые планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для усиления и генерирования сигналов сверхвысоких частот в схеме с общей базой.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с металлизированными контактами выступами и покрытым эмалью кристаллом.
Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике.
Тип прибора указывается на таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия: 3.365.000ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т612А-4:
• Структура: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 570 мВт;
• fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1500 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,2 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 3,5 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менне 0,2 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 7 пс
