Технические характеристики
1Т806В
Транзисторы 1Т806Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 28,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — ЮФ3.365.009ТУ.
Минимальный срок сохраняемости — 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: AL100, AUY38.
Основные технические характеристики транзистора 1Т806В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10…100;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом
