Технические характеристики
2П303И
Транзисторы 2П303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — Ц23.365.003ТУ.
Зарубежный аналог: 2N3822, 2N5668.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка — 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
