Технические характеристики
2П307Г
Транзисторы 2П307Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — Ц23.365.008ТУ.
Зарубежный аналог: MFE2001, 2N4216, SMP5103, TMPF5103, TP5103, JF1033Y.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2П307Г:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 1,5… 6 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 30 мА
• Iс нач — Начальный ток стока: не более 6 мА;
• S — Крутизна характеристики: 6… 12 мА/В (10В);
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц
