Технические характеристики
2П313Б
Транзисторы 2П313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — ТФ0.336.008ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: UC758, UC759.
Основные технические характеристики транзистора 2П313Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 120 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 15 мА
• S — Крутизна характеристики: 5… 10 мА/В (10В; 5мА);
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 6,8 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• fр — рабочая частота транзистора: 300 МГц
