Технические характеристики
2Т117В
Транзисторы 2Т117В кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Предназначены для применения в маломощных генераторах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» ТТ3.365.000ТУ;
— приемка «ОСМ» ТТ3.365.000ТУ, П0.070.052,
— приемка «ОС» ТТ3.365.000ТУ, аА0.339.190ТУ.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т117В:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax — Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,5… 0,7
