Технические характеристики
2Т211Б-1
Транзисторы 2Т211Б-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей герметизированной аппаратуры.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на возвратной таре.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.000ТУ.
Зарубежный аналог: 2S327.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка — 5000 часов во всех режимах, допускаемых ТУ.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т211Б-1:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 25 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 нА (15В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80… 240;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц
