Технические характеристики
2Т321Е
Транзисторы 2Т321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «5» аА0.339.248ТУ;
— приемка «9» аА0.339.248ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N1132J.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т321Е:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40… 400;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом
