Технические характеристики
2Т325Б
Транзисторы 2Т325Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-9 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — СБ0.336.023ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: BFN41.
Основные технические характеристики транзистора 2Т325Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70… 120;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс
